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| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7 mOhm @ 40A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 33nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2440pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 68W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.007 Ohms at 10 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-263AB |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 15 ns |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 68 W |
| 上升时间 | 13 ns |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 寿命 | Obsolete |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7 mOhm @ 40A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 68W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2440pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 33nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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